TPIC1301DW
3个半桥,电流:11.25A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC1301DW
- 商品编号
- C3276322
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 275mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
TPIC1301是一款单片式栅极保护功率DMOS阵列,由六个电隔离的N沟道增强型DMOS晶体管组成,配置为三个半H桥。每个晶体管都集成了大电流齐纳二极管(ZCXa和ZCXb),以防止在出现过应力情况时损坏栅极。按照人体模型(100 pF电容与1.5 kΩ电阻串联)进行测试时,这些齐纳二极管还能提供高达4000 V的静电放电(ESD)保护。 TPIC1301采用24引脚宽体表面贴装(DW)封装,其工作特性适用于-40°C至125°C的壳温范围。
商品特性
- 低rDS(on)......典型值0.23 Ω
- 高电压输出......60 V
- 增强的ESD能力......4000 V
- 脉冲电流......每通道11.25 A
- 快速换向速度