商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- 2.5A,12V
- rDS(ON) = 0.130 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 导通电阻与栅极驱动电压曲线
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关