MGSF2N02ELT1H
商品参数
参数完善中
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅材料的最优利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 低 RDS(ON) 提供更高的效率并延长电池寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装节省电路板空间
- 规定了高温下的 IDSS
- AEC Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力 - MVSF2N02EL
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换器-便携式和电池供电产品的电源管理,如:计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话