- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V；6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W；25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V；1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC；12.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 807pF；485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF；40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF；314pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
-最新沟槽功率MOSFET技术-在4.5 VGS下具有极低的导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-高电流承载能力-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 具备dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器