FDG6313N
双N沟道,电流:0.50 A,耐压:25 V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6313N
- 商品编号
- C3276318
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.45 Ω
- 在VGS = 2.7 V时,RDS(ON) = 0.60 Ω
- 25 V,连续电流0.50 A,峰值电流1.5 A
- 极低的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接工作(VGS(th)<1.5 V)
- 具有栅源齐纳二极管,增强ESD耐受性(人体模型>6 kV)
- 采用紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装