FCB20N60F
商品参数
参数完善中
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代高压超结(SJ)MOSFET产品系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET非常适合用于开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 150 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 75 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss.eff = 165 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-照明-交流-直流电源-太阳能逆变器