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场效应管(MOSFET)
2SJ216-E
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此图展示了型号为 2SJ216-E 的引脚布局
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此图展示了型号为 2SJ216-E 的焊盘布局
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对比
2SJ216-E
P沟道,电流:-35A,耐压:-60V
SMT
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PCB
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品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号
2SJ216-E
商品编号
C3276298
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
35A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V
耗散功率(Pd)
50W
阈值电压(Vgs(th))
2V@1mA
属性
参数值
输入电容(Ciss)
2.4nF
反向传输电容(Crss)
340pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
P沟道
输出电容(Coss)
1.3nF
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