2SJ216-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 当VGS = 10V时，rDS(ON) = 0.0078 Ω
- 当VGS = 4.5V时，rDS(ON) = 0.010 Ω
- 当VGS = 4.0V时，rDS(ON) = 0.012 Ω
- 超低导通电阻
- 栅源保护二极管
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 瞬态热阻抗与电路板安装面积曲线
- 开关时间与RGS曲线
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