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场效应管(MOSFET)
NTB8N50
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对比
NTB8N50
N沟道,电流:8A,耐压:500V
SMT
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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTB8N50
商品编号
C3276297
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
750mΩ@10V
耗散功率(Pd)
202W
阈值电压(Vgs(th))
4V@0.25mA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
40nC@10V
输入电容(Ciss)
2.14nF
反向传输电容(Crss)
30pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
530pF
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