IPD70N04S307ATMA1
N沟道,电流:82A,耐压:40V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70N04S307ATMA1
- 商品编号
- C3276289
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式下的高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。MiniMOS器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1级,最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 环保封装(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制