MTD12N06EZL
N沟道,电流:12A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTD12N06EZL
- 商品编号
- C3276253
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、6凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 具备ESD保护
- 4 kV人体模型
- 400 V机器模型
- 雪崩能量承受能力
- 内部源极 - 漏极二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器,可在雪崩模式下吸收高能量
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路