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IPDQ60R022S7XTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:24A
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- 描述
- IPDQ60R022S7可为低频开关应用提供最佳性价比。CoolMOS™ S7作为高压超结MOSFET，具备极低的导通电阻（RDS(on)）值，显著提升了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R022S7XTMA1
- 商品编号
- C3276270
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@12V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.639nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |
商品概述
IRF6892SPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度小于0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，将此前最佳热阻降低80%。 IRF6892SPbF在实现行业领先的导通电阻的同时，将栅极电荷降至最低，并具有低栅极电阻，从而降低了传导损耗和开关损耗。该器件集成了肖特基二极管，可降低体漏二极管的反向恢复电荷Qrr，进一步降低同步降压电路中的损耗。较低的损耗使该产品非常适合为大电流负载（如最新一代微处理器）供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF6892SPbF针对同步降压转换器同步FET插槽中的关键参数进行了优化。
商品特性
- CoolMOSTM S7技术可在最小的占位面积内实现22mΩ的导通电阻RDS(on)
- 低频开关应用中具备优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能
- QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装提供顶部散热,改善了封装热性能
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源(UPS)和太阳能