商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 采用先进的碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)技术,提供高功率密度
- 具备十倍频程带宽性能
- 输入匹配,可提升宽带性能
- 高鲁棒性:电压驻波比(VSWR)> 10:1
应用领域
- 窄带和多倍频程宽带放大器
- 雷达
- 干扰器
- 电磁兼容性(EMC)测试
- 公共移动无线电,包括应急服务无线电
- 工业、科学和医疗领域
- 宽带实验室放大器
- 无线蜂窝基础设施
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