MMDF2P01HDR2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品概述
这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 超低的导通电阻RDS(on),可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动,可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 提供SO - 8封装的安装信息
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制