NTD78N03R-1G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 76.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.794nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 373pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 882pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 低栅极电阻
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 100% 漏源电压变化（ΔVDS）测试
应用领域
- 直流-直流转换器
- 同步整流
- 高频开关