NP40N055KHE-E1-AZ
N沟道,电流:40A,耐压:55V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP40N055KHE-E1-AZ
- 商品编号
- C3276263
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
- NVD 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源-转换器-动力电机控制-桥式电路