FDG6321C-F169
双N沟道和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管,电流:0.5A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6321C-F169
- 商品编号
- C3276254
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品特性
- N沟道:0.50 A,25 V
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.45 Ω
- VGS = 2.7 V时,RDS(ON) = 0.60 Ω
- P沟道:-0.41 A,-25 V
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 1.1 Ω
- VGS = -2.7 V时,RDS(ON) = 1.5 Ω
- 超小封装尺寸:SC70-6
- 极低的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接工作(VGS(th)<1.5 V)
- 栅源齐纳二极管,具备出色的ESD耐受性(人体模型>6 kV)
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备和非专门用于生命维持的医疗设备。