BSO203SPNT
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO203SPNT
- 商品编号
- C3276238
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.02nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.23nF |
商品特性
- SO8封装双P沟道
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 工作温度达150°C
- 超级逻辑电平(额定2.5V)
- 无铅镀层;符合RoHS标准,根据IEC61249-2-21无卤