UPA2807T1L-E1-AT
N沟道,电流:34A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2807T1L-E1-AT
- 商品编号
- C3276094
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 漏源极电压(VDSS):30 V(环境温度TA = 25°C)
- 低导通电阻
- 最大导通电阻(RDS(on)) = 4.6 mΩ(栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 34 A)
- 支持4.5 V栅极驱动
- 带散热片的小型薄型表面贴装封装(8引脚HVSON)
- 无铅、无卤素
应用领域
-笔记本电脑电源管理应用-锂离子电池保护电路