UPA1915TE(0)-T1-AT
P-通道,电流:-2.5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1915TE(0)-T1-AT
- 商品编号
- C3276102
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（Cₒₛₛ）特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。