FDMC6696P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 282nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.455nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.54nF |
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -18 A时,最大导通电阻rDS(on) = 4.9 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -9 A时,最大导通电阻rDS(on) = 16.4 mΩ
- 高性能沟槽技术实现极低的导通电阻rDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装具备高功率和电流处理能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-电池管理-电源管理-反极性保护