2SK4076-ZK-E1-AY
N沟道,电流:35A,耐压:40V
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- 品牌名称
- NEC(日电电子)
- 商品型号
- 2SK4076-ZK-E1-AY
- 商品编号
- C3276157
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -18 A时，最大导通电阻rDS(on) = 4.9 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -9 A时，最大导通电阻rDS(on) = 16.4 mΩ
- 高性能沟槽技术实现极低的导通电阻rDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装具备高功率和电流处理能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-电池管理-电源管理-反极性保护