PSMN6R1-30YLD115
PSMN6R1-30YLD115
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN6R1-30YLD115
- 商品编号
- C3276165
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 908pF |
商品概述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3系列采用独特的“肖特基增强”技术，实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但无高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。
商品特性
- 超低QG、QGD和QOSS,实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
- 超快速开关与软恢复特性;s因子 > 1
- 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强”技术;类肖特基性能,25°C时漏电流 < 1 μA
- 针对4.5 V栅极驱动优化
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下工作
- 波峰焊兼容;外露引脚便于目视焊接检查
应用领域
- 服务器和电信的板载DC - DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节器模块(VRM)
- 负载点(POL)模块
- V核心、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制