HUF76121S3
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻,从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 47A,30V
- 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.021 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 温度补偿SABER模型
- 热阻SPICE模型
- 热阻SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理