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2SK2723-AZ

N-通道,电流:13A,耐压:60V

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商品型号
2SK2723-AZ
商品编号
C3276194
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC
输入电容(Ciss)830pF
反向传输电容(Crss)185pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款先进的TMOS增强型场效应晶体管(E-FET)设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和脉宽调制(PWM)电机控制中的低电压、高速开关应用而设计,特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥接电路,并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。

商品特性

  • 规定了雪崩能量
  • 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
  • 该二极管适用于桥接电路
  • 规定了高温下的漏源截止电流(IDSS)和漏源导通电压(VDS(on))
  • 提供16mm、13英寸/2500个单位的卷带封装表面贴装器件,在产品型号后添加T4后缀

应用领域

-Standard-grade applications:computers,office equipment,Communication devices,test AND measurement equipment,audio-visual equipment,household electronics,machine tools,personal electronic devices,industrial robots-High-quality-grade applications:Transportation equipment (automobiles,trains,ships,etc.),traffic control systems,disaster prevention systems,anti-theft systems,safety equipment,medical devices NOT specifically used FOR life support

数据手册PDF