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场效应管(MOSFET)
2SJ356-T1-AZ
引脚图
此图展示了型号为 2SJ356-T1-AZ 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 2SJ356-T1-AZ 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
2SJ356-T1-AZ
2SJ356-T1-AZ
品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号
2SJ356-T1-AZ
商品编号
C3276209
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
950mΩ@4V
耗散功率(Pd)
2W
阈值电压(Vgs(th))
1V
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
11.6nC@10V
输入电容(Ciss)
270pF
反向传输电容(Crss)
55pF
类型
P沟道
输出电容(Coss)
145pF
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