BSP603S2LNT
N沟道,电流:5.2A,耐压:55V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP603S2LNT
- 商品编号
- C3276211
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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