NVD5890NT4G-VF01
40V, 123A, 单个N沟道
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5890NT4G-VF01
- 商品编号
- C3276232
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 123A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品特性
-沟槽技术-低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗-低电容,以最小化驱动损耗-优化的栅极电荷,以最小化开关损耗-这些是无铅器件
应用领域
- 核心电压（VCORE）应用
- 直流-直流转换器
- 低端开关