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BSC100N03MSG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC100N03MSG

1个N沟道 耐压:30V 电流:44A

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描述
特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 低FOM_SW,适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
BSC100N03MSG
商品编号
C3276195
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)44A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)590pF

应用领域

  • 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
  • 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。

数据手册PDF