BUZ323
N通道,电流:15A,耐压:400V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BUZ323
- 商品编号
- C3276188
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
采用带陶瓷帽的2引脚法兰封装（SOT467C）的硅N沟道增强型横向D-MOS晶体管。公共源极连接到法兰。
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 雪崩额定
应用领域
- 适用于1030至1090 MHz频率范围的电子发射机应用。