EFC4611-TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCP81253是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，采用2mm×2mm小型封装，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。通过三态PWM和EN输入，驱动器输出可置于高阻抗状态。NCP81253集成了升压二极管，可减少外部元件数量。VCC欠压锁定（UVLO）功能确保电源电压较低时输出为低电平。
商品特性
- 节省空间的2mm×2mm DFN8热增强型封装
- VCC范围为4.5V至5.5V
- 内部自举二极管
- 5V三级PWM输入
- 通过EN中间状态实现二极管制动功能
- 自适应抗交越导通电路，防止FET导通和关断期间发生交越导通
- 输出禁用控制，通过使能引脚关闭两个MOSFET
- VCC欠压锁定
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑和台式机系统的电源解决方案