H5N2007LSTL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条状DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 3.6A、500V，VGS = 10V时，RDS(on) = 1.3Ω
- 低栅极电荷（典型值17nC）
- 低Crss（典型值11pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力