IRF6892STRPBF
N沟道,电流:28A,耐压:25V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6892STRPBF
- 商品编号
- C3276240
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品概述
IRF6892SPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合,在具有SO - 8封装尺寸且高度小于0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热,可最大限度地提高电力系统中的热传递效率,将此前最佳热阻降低80%。 IRF6892SPbF在实现行业领先的导通电阻的同时,将栅极电荷降至最低,并具有低栅极电阻,从而降低了传导损耗和开关损耗。该器件集成了肖特基二极管,可降低体漏二极管的反向恢复电荷Qrr,进一步降低同步降压电路中的损耗。较低的损耗使该产品非常适合为大电流负载(如最新一代微处理器)供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF6892SPbF针对同步降压转换器同步FET插槽中的关键参数进行了优化。
商品特性
- 超薄封装(<0.7 mm)
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 针对控制FET应用进行优化
- 与现有表面贴装技术兼容
- 100%进行栅极电阻测试
应用领域
- 计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备