IRF630BTSTU
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 9.0A、200V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.4Ω
- 低栅极电荷(典型值22nC)
- 低Crss(典型值22pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-High-efficiency switching DC/DC converters-SWITCH MODE POWER supplies-DC-AC converters FOR uninterrupted POWER supply-Motor control