4AM17-91
双沟道MOSFET,电流:8A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 4AM17-91
- 商品编号
- C3276121
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 低导通电阻
- N沟道:RDS(on) \leq 0.17 Ω,VGS = 10 V,ID = 4 A
- P沟道:RDS(on) \leq 0.2 Ω,VGS = -10 V,ID = -4 A
- 4V栅极驱动器件
- 高密度安装
应用领域
-笔记本电脑负载开关-便携式设备中的电池和负载管理应用-充电器中的充电控制-降压和升压转换器
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