SPI15N60C3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@675uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高的dv/dt额定值
- 超低有效电容
- 改善的跨导
- PG-TO-220-3-31；-3-111：全隔离封装（2500 VAC；1分钟）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证