2SK2737-E
N通道MOSFET,电流:45A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2737-E
- 商品编号
- C3276141
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
μPA2807T1L是一款N沟道MOS场效应晶体管，专为笔记本电脑电源管理应用和锂离子电池保护电路而设计。
商品特性
- 漏源极电压（VDSS）：30 V（环境温度TA = 25°C）
- 低导通电阻
- 最大导通电阻（RDS(on)） = 4.6 mΩ（栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 34 A）
- 支持4.5 V栅极驱动
- 带散热片的小型薄型表面贴装封装（8引脚HVSON）
- 无铅、无卤素
应用领域
- 笔记本电脑电源管理应用-锂离子电池保护电路
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