IPB023N04NG
N沟道,电流:90A,耐压:40V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB023N04NG
- 商品编号
- C3276106
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.7nF |
商品特性
- 用于或门和不间断电源的MOSFET
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- N沟道正常电平
- 超低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备,以及非专门用于生命维持的医疗设备。
