2SK2329L-E
N沟道MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2329L-E
- 商品编号
- C3276100
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
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