NDP5060
N沟道,电流:26A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDP5060
- 商品编号
- C3276097
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的标准电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 26 A、60 V,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.05 Ω
- 规定了高温下的关键直流电气参数
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器
- 最高结温额定值为175°C
- 高密度单元设计可实现极低的RDS(ON)
- TO - 220和TO - 263(D2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-PWM电机控制-其他电池供电电路