NDP5060
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的标准电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 最高结温达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 真正的标准电平栅极，在175°C时VGS(th)额定值大于1 V
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速箱控制
- 超高性能功率开关