2SK3820-DL-1EX
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
B10G3438N55D是一款采用安谱隆（Ampleon）先进的GEN10 LDMOS技术的三级全集成非对称Doherty单片微波集成电路（MMIC）解决方案。载波和峰值器件、输入功分器、输出合路器和预匹配电路集成在单个封装中。这款多频段器件非常适合作为3400 MHz至3800 MHz频率范围内小基站和大规模MIMO应用的末级放大器。采用PQFN封装。
商品特性
- 集成输入功分器
- 集成输出合路器
- 由于集成预匹配电路，输出阻抗为30 Ω
- 非对称设计实现高效率
- 专为宽带工作设计（频率范围3400 MHz至3800 MHz）
- 载波和峰值偏置独立控制
- 集成静电放电（ESD）保护
- 源阻抗50 Ω；高功率增益
应用领域
- 适用于3400 MHz至3800 MHz频率范围内多载波、多标准GSM、W-CDMA和LTE基站的射频功率MMIC