IPI80N04S3-04
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 符合汽车级AEC Q101标准
- 湿度敏感度等级1级，最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 环保封装（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试