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HXY2302AI
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达3A。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效能、稳定可靠的功率转换和控制功能。
- 商品型号
- HXY2302AI
- 商品编号
- C3033385
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
CJU80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 散热性能良好的优质封装-超低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关能力-规定雪崩能量
应用领域
- 功率开关应用