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HXY2300MI
N沟道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:20V
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为20V电压系统设计，具备6A大电流处理能力。具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等场景中，提供高效稳定的功率控制功能。
- 商品型号
- HXY2300MI
- 商品编号
- C3033387
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |