HXY2300MI
N沟道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:20V
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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装,专为20V电压系统设计,具备6A大电流处理能力。具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于充电器、电源转换等场景中,提供高效稳定的功率控制功能。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY2300MI商品编号
C3033387商品封装
SOT-23-3L包装方式
编带
商品毛重
0.015克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@4.5V,6A | |
功率(Pd) | 1.25W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 500pF@8V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 96pF@8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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