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HXY2300AI
N沟道 20V 6A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，针对20V电压系统设计，提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中，实现高效能、稳定的功率转换与控制。
- 商品型号
- HXY2300AI
- 商品编号
- C3033386
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |