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HXY2300AI
N沟道增强型MOSFET,电流:6.0A,耐压:20V
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，针对20V电压系统设计，提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中，实现高效能、稳定的功率转换与控制。
- 商品型号
- HXY2300AI
- 商品编号
- C3033386
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY2302AI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 3.0 A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 35 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源