HXY2300AI
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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描述
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，针对20V电压系统设计，提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中，实现高效能、稳定的功率转换与控制。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY2300AI商品编号
C3033386商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@4.5V,5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 630pF@10V |
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