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HXY2301AI
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流为3A。具备出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电设备、电源转换等场合，提供高效能、可靠的功率控制解决方案。
- 商品型号
- HXY2301AI
- 商品编号
- C3033384
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JMT P沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -3 A
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 70 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理