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NP9926BSR-G
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- NP9926BSR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP9926BSR-G
- 商品编号
- C2991134
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP9435ASR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -5.5 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON)(典型值) = 43 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON)(典型值) = 55 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关