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NP6050G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP6050G

N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
NP6050G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
品牌名称
natlinear(南麟)
商品型号
NP6050G
商品编号
C2991154
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.406克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)85W
阈值电压(Vgs(th))2.8V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)47.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.92nF@20V
反向传输电容(Crss)115pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

NP100N03D6采用独特优化的沟槽技术,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 30 V,ID = 100 A
  • RDS(ON)(典型值) = 3.4 mΩ @VGS=10V
  • RDS(ON)(典型值) = 5.1 mΩ @VGS=4.5V
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度150 °C
  • 100%进行了UIS测试

应用领域

  • DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
  • 工业和电机驱动应用

数据手册PDF