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NP6020D6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP6020D6

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
NP6020D6采用先进的沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
品牌名称
natlinear(南麟)
商品型号
NP6020D6
商品编号
C2991155
商品封装
PDFN-8(5x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)37.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)28nC
输入电容(Ciss)1.582nF
反向传输电容(Crss)67pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

商品特性

  • 极低的品质因数(RDS(on) × Qg)
  • 极低的开关损耗
  • 出色的稳定性和一致性
  • 100%雪崩测试
  • 内置ESD二极管

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • 功率因数校正(PFC)
  • 电视电源和LED照明电源
  • 交流转直流转换器
  • 电信

数据手册PDF