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NP6020D6
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- NP6020D6采用先进的沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP6020D6
- 商品编号
- C2991155
- 商品封装
- PDFN-8(5x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.582nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
NP6020D6采用先进的沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和 QG 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 20 A
- RDS(ON)(典型值) = 18.5 m Ω @VGS=10V
- RDS(ON)(典型值) = 21.5mΩ @VGS = 4.5V
- 出色的栅极电荷 xRDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达150 °C
- 100%经过非钳位感性负载开关(UIS)测试
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 工业和电机驱动应用