温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NP6884D6
N沟道 耐压:40V 电流:26A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- NP6884D6采用先进的沟槽技术，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源（SMPS）的高端开关及通用应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP6884D6
- 商品编号
- C2991160
- 商品封装
- PDFN-8(4.9x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.226nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
25N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 26 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) = 13.7 mΩ(典型值)
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) = 17.8 mΩ(典型值)
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达150 °C
- 引脚无铅电镀
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 适用于高频开关和同步整流