温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NP36N10G
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- NP36N10采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP36N10G
- 商品编号
- C2991157
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化导通电阻RDS(ON)。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 36 A
- RDS(ON)(典型值) = 32 mΩ @VGS = 10 V
- RDS(ON)(典型值) = 38 mΩ @VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热良好的封装
- 特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐